新闻|中车时代半导体亮相直流输电与电力电子专委会2024年度学术盛会

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文章来源:中车时代电气

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在国家“碳达峰、碳中和”战略目标、构建“以新能源为主体的新型电力系统”大背景的指引下,中国电机工程学会直流输电与电力电子专业委员会2024年(第十三届)学术年会于10月28至30日在天津成功举办。来自全国的顶尖学者与行业翘楚齐聚一堂,深度剖析直流输电与电力电子领域的前沿课题、产业动态和技术发展趋势。

本次年会深入探讨了直流输电与电力电子在“双碳目标”实现中承担的重要作用、新型电力系统对直流系统和电力电子装备的全新需求及相关技术标准体系的构建与制定等热点问题。通过高质量的主旨演讲、专题论坛、学术论文分享、墙报互动与技术展览,会上搭建起了一座知识共享与成果展示的桥梁,促进了专业人士之间的深入交流与合作,也为相关企业提供了宝贵的展示舞台。


中车时代半导体:绿色能源转型的强力引擎

在此次盛会中,中车时代半导体全面展示了其在电网领域功率半导体解决方案的深厚积淀与创新突破。从芯片到应用,公司彰显了在电网领域中的卓越能力,其高压IGBT芯片技术已与国际顶尖水平并驾齐驱,第4代平面栅与第5代沟槽栅技术的广泛应用,实现了超过10%的换流阀损耗降低。公司自主开发生产的IGBT模块、IGCT及双极功率器件,凭借高效能与高可靠性,已在新能源发电、储能、电能质量改善及输变电等多个关键领域大放异彩。特别是在柔性直流输电系统方面,中车时代半导体可提供一系列高效、可靠的功率半导体解决方案,涵盖海上风电、大容量输电和定制化换流阀器件等需求,通过先进的IGBT、IGCT和双极器件技术,确保系统的高效能量传输和稳定运行,成功参与了国内20余项标志性柔直工程,推动未来更高效、更绿色的电网发展。

同期,中车时代半导体研发中心副主任常桂钦在主旨报告环节作《高压大容量压接IGBT关键技术和可靠性》报告,深入剖析了高压大容量压接式IGBT技术在大电流、高电压环境下的应用要求和挑战,并分享了中车时代半导体的压接式IGBT产品的可靠性与最新进展,获得了广泛关注。

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